Твердотельный накопитель NVMe M.2 2280 с интерфейсом PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 и памятью Samsung V-NAND TLC.
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW — SSD объёмом 2 ТБ в форм-факторе M.2 2280 с интерфейсом PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 и протоколом NVMe 2.0. Накопитель построен на памяти Samsung V-NAND TLC и контроллере Samsung. Заявленная последовательная скорость чтения достигает 7250 МБ/с, записи — 6300 МБ/с.
Произвольный доступ на глубине очереди 32 заявлен на уровне до 1 000 000 IOPS при чтении и до 1 350 000 IOPS при записи блоками 4 КБ. Накопитель поддерживает TRIM, S.M.A.R.T., автоматический алгоритм сборки мусора и режим сна устройства. Предусмотрено шифрование AES 256-bit (Class 0) и TCG/Opal IEEE1667.
Среднее энергопотребление на системном уровне составляет 4,6 Вт при чтении и 4,2 Вт при записи, в простое — около 60 мВт, в режиме сна устройства — около 5 мВт. Допустимое напряжение питания — 3,3 В ± 5 %. Заявленная наработка на отказ (MTBF) — 1,5 млн часов, ресурс записи — 1200 TBW.
| Общие характеристики | |
|---|---|
| Производитель | Samsung |
| Серия | 990 EVO Plus |
| Модель | MZ-V9S2T0BW |
| Тип оборудования | SSD диск |
| Цвет | черный |
| Объём | 2 ТБ (2 000 ГБ; 2048 ГБ) |
| Интерфейс и форм-фактор | |
| Интерфейс SSD | PCI-Express |
| Версия интерфейса | PCIe 4.0 x4, PCIe 5.0 x2 |
| Протокол NVMe | 2.0 |
| Формат накопителя | M.2 |
| Форм-фактор M.2 | 2280 |
| Тип разъема M.2 | 2280 M |
| Параметры производительности | |
| Скорость последовательного чтения | до 7250 МБ/с |
| Скорость последовательной записи | до 6300 МБ/с |
| Произвольное чтение (4 КБ, QD32) | до 1 000 000 IOPS |
| Произвольная запись (4 КБ, QD32) | до 1 350 000 IOPS |
| Ресурс SSD, TBW | 1200 |
| Тип чипов | TLC |
| Тип интерфейса NAND Flash памяти | TLC |
| Контроллер | Samsung |
| Кэш-память | HMB (Host Memory Buffer) |
| MTBF | 1,5 млн часов |
| Поддерживаемые технологии | |
| Поддержка технологий | NVMe |
| TRIM | Поддерживается |
| S.M.A.R.T. | Поддерживается |
| GC (Garbage Collection) | Автоматический алгоритм сборки мусора |
| Шифрование данных | AES 256-bit Encryption (Class 0), TCG/Opal IEEE1667 |
| Поддержка WWN | Не поддерживается |
| Режим сна устройства (Device Sleep) | Поддерживается |
| Питание | |
| Среднее энергопотребление (системный уровень) | чтение 4,6 Вт / запись 4,2 Вт |
| Энергопотребление в простое | типично 60 мВт |
| Энергопотребление в режиме сна устройства | типично 5 мВт |
| Допустимое напряжение | 3,3 В ± 5 % |
| Условия эксплуатации и габариты | |
| Рабочая температура | 0 ~ 70 °C |
| Максимальные перегрузки | 1500 G длительностью 0,5 мс (полусинус) |
| Размеры (ширина x высота x глубина) | 80,15 x 22,15 x 2,38 мм |
| Вес | до 9 г |
| Комплект поставки и ПО | |
| Комплект поставки | SSD |
| ПО в комплекте | нет |
| Монтажный комплект | нет |
| Программное обеспечение для управления | Magician Software for SSD management |
| Гарантия | 5 лет ограниченной гарантии или 1200 TBW |
Заявленная последовательная скорость чтения достигает 7250 МБ/с, записи — 6300 МБ/с. Произвольный доступ блоками 4 КБ на глубине очереди 32 — до 1 000 000 IOPS при чтении и до 1 350 000 IOPS при записи. Значения могут зависеть от аппаратной конфигурации системы.
SSD выполнен в форм-факторе M.2 2280 с разъемом типа 2280 M. Интерфейс — PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2, протокол NVMe 2.0.
Ресурс записи составляет 1200 TBW. Гарантия — 5 лет ограниченной гарантии или 1200 TBW в зависимости от того, что наступит раньше.
Предусмотрено шифрование AES 256-bit (Class 0) и TCG/Opal IEEE1667. Накопитель поддерживает TRIM, S.M.A.R.T., автоматический алгоритм сборки мусора и режим сна устройства. Поддержка WWN не заявлена.