Внутренний твердотельный накопитель M.2 2280 с интерфейсом PCIe 5.0 x4, протоколом NVMe 2.0 и интегрированным радиатором.
Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0CW) — внутренний SSD объёмом 1000 ГБ в форм-факторе M.2 2280 с интерфейсом PCIe 5.0 x4 и протоколом NVMe 2.0. Накопитель построен на флеш-памяти 3D V-NAND TLC и оснащён интегрированным радиатором, который входит в комплект.
Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 700 МБ/с, записи — 13 300 МБ/с. Производительность на случайных операциях составляет до 1 850 000 IOPS при чтении и до 2 600 000 IOPS при записи. Ресурс записи — 600 ТБ (TBW), показатель DWPD при расчёте на 5 лет — 0.3, наработка на отказ — 1 500 000 часов.
Накопитель оснащён DRAM-буфером и поддерживает TRIM. Установленный радиатор предназначен для отвода тепла при работе накопителя.
| Общие параметры | |
|---|---|
| Тип накопителя | Внутренний SSD (твердотельный накопитель) |
| Форм-фактор и размер | M.2 2280 (22 × 80 мм) |
| Толщина | 8.88 мм |
| Интерфейс и протокол | PCI Express 5.0 x4 (PCIe Gen5), NVMe 2.0 |
| Полезный объём | 1000 ГБ (1 ТБ) |
| Тип флэш-памяти | 3D V-NAND TLC |
| DRAM-буфер | Есть |
| Поддержка TRIM | Есть |
| Производительность | |
| Скорость последовательного чтения | до 14 700 МБ/с |
| Скорость последовательной записи | до 13 300 МБ/с |
| Производительность (случайные операции, чтение/запись) | до 1 850 000 / 2 600 000 IOPS |
| Ресурс и надёжность | |
| Ресурс записи (TBW) | 600 ТБ |
| DWPD (при расчёте на 5 лет) | 0.3 |
| Наработка на отказ (MTBF) | 1 500 000 часов |
| Конструкция | |
| Охлаждение | Интегрированный радиатор (Heatsink) в комплекте |
Заявленная скорость последовательного чтения — до 14 700 МБ/с, последовательной записи — до 13 300 МБ/с. На случайных операциях накопитель показывает до 1 850 000 IOPS при чтении и до 2 600 000 IOPS при записи.
Ресурс записи составляет 600 ТБ (TBW), показатель DWPD при расчёте на 5 лет — 0.3, наработка на отказ — 1 500 000 часов.
Накопитель выполнен в форм-факторе M.2 2280 (22 × 80 мм) и поставляется с интегрированным радиатором (Heatsink). Толщина накопителя с учётом радиатора — 8.88 мм, это стоит учитывать при установке.
Накопитель подключается по PCIe 5.0 x4 и работает по протоколу NVMe 2.0. Используется флеш-память 3D V-NAND TLC, также предусмотрены DRAM-буфер и поддержка TRIM.