Внутренний твердотельный накопитель форм-фактора 2.5" с интерфейсом SATA и памятью V-NAND 3bit MLC.
Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0BW) — внутренний твердотельный накопитель объёмом 4000 ГБ в форм-факторе 2.5" с интерфейсом SATA. Память построена на V-NAND 3bit MLC, установлен контроллер Samsung MKX, предусмотрен DRAM-буфер объёмом 4096 МБ.
Максимальная скорость последовательного чтения составляет 560 МБ/с, последовательной записи — 530 МБ/с. Скорость произвольного чтения блоками 4 КБ (QD32) достигает 98 000 IOPS, произвольной записи — 88 000 IOPS. Заявленный максимальный ресурс записи — 2400 ТБ (TBW), показатель DWPD — 0.33, наработка на отказ (MTBF) — 1.5 млн часов.
Корпус накопителя чёрного цвета имеет размеры 100 × 69.85 × 6.8 мм и весит 48 г. Энергопотребление — 5 Вт. Поддерживается TRIM. В комплект входит документация.
| Основные характеристики | |
|---|---|
| Тип | SSD |
| Исполнение | Внутреннее |
| Форм-фактор твердотельного накопителя | 2.5" |
| Тип памяти | V-NAND 3bit MLC |
| Размер твердотельного накопителя | 4000 ГБ |
| Интерфейс твердотельного накопителя | SATA |
| Скорость записи / скорость чтения | 530 / 560 МБ/с |
| MTBF | 1.5 млн часов |
| Цвет | Чёрный |
| Конфигурация накопителя | |
| Контроллер | Samsung MKX |
| Количество бит на ячейку | 3 бит MLC (TLC) |
| Структура памяти | 3D NAND |
| DRAM-буфер | Есть |
| Объём DRAM-буфера | 4096 МБ |
| NVMe | Нет |
| Показатели производительности | |
| Максимальная скорость последовательного чтения | 560 МБ/с |
| Максимальная скорость последовательной записи | 530 МБ/с |
| Скорость произвольного чтения 4 КБ файлов (QD32) | 98 000 IOPS |
| Скорость произвольной записи 4 КБ файлов (QD32) | 88 000 IOPS |
| Надёжность | |
| Максимальный ресурс записи (TBW) | 2400 ТБ |
| DWPD | 0.33 |
| Габариты и питание | |
| Энергопотребление | 5 Вт |
| Ширина | 69.85 мм |
| Длина | 100 мм |
| Толщина | 6.8 мм |
| Вес | 48 г |
| Комплектация | |
| Комплектация | Документация |
Это накопитель с интерфейсом SATA; поддержка NVMe у него отсутствует. Подключение выполняется через разъём SATA, а не через слот M.2 с NVMe, поэтому устанавливать его нужно в соответствующее место для 2.5" SATA-накопителей.
DRAM-буфер — это отдельная микросхема памяти на накопителе, используемая контроллером Samsung MKX для служебных операций. В данной модели её объём составляет 4096 МБ.
Максимальный ресурс записи составляет 2400 ТБ (TBW) при показателе DWPD 0.33. Память построена на V-NAND 3bit MLC, то есть по 3 бита на ячейку (TLC), со структурой 3D NAND.