Внутренний твердотельный накопитель M.2 2280, NVMe 2.0, PCIe Gen 5.0 x4, память V-NAND TLC
Samsung 9100 PRO (MZ-VAP4T0CW) — внутренний SSD объёмом 4 ТБ в форм-факторе M.2 2280 с интерфейсом PCIe Gen 5.0 x4 и поддержкой NVMe 2.0. Накопитель построен на флеш-памяти V-NAND TLC 7-го поколения и контроллере Samsung Pascal. Заявленные скорости составляют до 14800 МБ/с при чтении и до 13400 МБ/с при записи.
Модификация оснащена встроенным радиатором из никелированного алюминиевого сплава. Для контроля термического режима предусмотрена технология Dynamic Thermal Guard, предотвращающая троттлинг при перегреве. Поддерживается аппаратное шифрование AES 256-bit.
Заявленный ресурс — 2400 ТБ записи (TBW), средняя наработка на отказ (MTBF) — 1 500 000 часов. Устройство предназначено для установки внутрь системного блока или ноутбука; при монтаже в компактный корпус требуется учитывать наличие места под накопитель с радиатором.
| Общие характеристики | |
|---|---|
| Тип | SSD |
| Исполнение | Внутреннее |
| Форм-фактор твердотельного накопителя | M.2 2280 |
| Тип памяти | TLC (V-NAND TLC 7-го поколения) |
| Размер твердотельного накопителя | 4000 ГБ |
| Интерфейс твердотельного накопителя | PCI-E (PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0) |
| Скорость чтения / записи | 14800 / 13400 МБ/с |
| MTBF | 1 500 000 ч |
| Ресурс TBW | 2400 ТБ |
| Конструкция и особенности | |
| Контроллер | Samsung Pascal |
| Радиатор | Встроенный, никелированный алюминиевый сплав (Heatsink) |
| Термоконтроль | Dynamic Thermal Guard |
| Шифрование | AES 256-bit |
| Цвет устройства | Black |
| Подсветка | Без подсветки |
Заявленная скорость чтения — до 14800 МБ/с, записи — до 13400 МБ/с. Эти значения соответствуют интерфейсу PCIe 5.0 x4.
Ресурс записи (TBW) составляет 2400 ТБ, средняя наработка на отказ (MTBF) — 1 500 000 часов.
Да, модификация MZ-VAP4T0CW оснащена встроенным радиатором из никелированного алюминиевого сплава. Для контроля термического режима предусмотрена технология Dynamic Thermal Guard.
Да, поддерживается аппаратное шифрование AES 256-bit.