Серверный модуль RDIMM DDR4 объёмом 64 ГБ с коррекцией ошибок ECC и буфером на модуле.
Samsung M393A8G40AB2-CWE — серверный модуль оперативной памяти RDIMM DDR4 объёмом 64 ГБ. Модуль выполнен в форм-факторе 288-pin DIMM, работает на частоте DDR4-3200 с таймингами CL22 и напряжением питания 1,2 В. Пропускная способность составляет 25600 МБ/с.
Модуль поддерживает коррекцию ошибок ECC и имеет буфер на модуле (Registered). Организация памяти — dual rank. В комплект входит один модуль.
Исполнение без радиатора и без подсветки, профиль модуля не низкопрофильный. Нормальная рабочая температура (Tcase) — 85 °C, расширенная — 95 °C.
| Основные параметры | |
|---|---|
| Тип оборудования | Оперативная память |
| Производитель | Samsung |
| Модель | M393A8G40AB2-CWE |
| Part Number | M393A8G40AB2-CWE |
| Тип памяти | DDR4 |
| Тип модуля | RDIMM |
| Форм-фактор модуля | 288-pin DIMM |
| Объём одного модуля | 64 ГБ |
| Общий объём памяти | 64 ГБ |
| Количество модулей в комплекте | 1 шт. |
| Быстродействие | |
| Частота | DDR4-3200 (3200 МГц) |
| Пропускная способность | 25600 МБ/с |
| CAS Latency (CL) | 22 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
| Количество рангов (Ranks) | dual rank |
| Питание и надёжность | |
| Напряжение питания | 1,2 В |
| Поддержка ECC | Есть |
| Поддержка Reg | Есть |
| Наличие буфера на модуле (Registered) | Да |
| Нормальная операционная температура (Tcase) | 85 °C |
| Расширенная операционная температура (Tcase) | 95 °C |
| Конструкция | |
| Радиатор | Нет |
| Подсветка | Нет |
| Низкопрофильная | Нет |
| Прочее | |
| Совместимость | Для серверов |
| Гарантия | 12 мес. |
Это серверный модуль оперативной памяти RDIMM DDR4 объёмом 64 ГБ с частотой DDR4-3200, таймингами CL22 и напряжением питания 1,2 В. Модуль поддерживает ECC и имеет буфер на модуле (Registered).
Объём одного модуля — 64 ГБ, в комплект входит один модуль.
Да, модуль поддерживает ECC и имеет буфер на модуле (Registered). Организация памяти — dual rank.
CAS Latency (CL) — 22, RAS to CAS Delay (tRCD) — 22, Row Precharge Delay (tRP) — 22. Напряжение питания — 1,2 В.