Внутренний NVMe SSD в форм-факторе M.2 2280 с интерфейсом PCIe Gen4 x4 и памятью 3D NAND.
Netac NV5000-N объёмом 1 ТБ — внутренний твердотельный накопитель в форм-факторе M.2 2280 с интерфейсом PCIe Gen4 x4 и поддержкой NVMe 1.4. Максимальная скорость последовательного чтения составляет 4800 МБ/с, последовательной записи — 4600 МБ/с. Максимальная скорость случайного чтения заявлена на уровне 400K IOPS, случайной записи — 530K IOPS.
Накопитель построен на памяти 3D NAND Flash и поддерживает SLC-кэширование. Заявленный ресурс TBW для версии 1 ТБ — 640 ТБ. Средняя наработка на отказ (MTBF) составляет 2 000 000 часов. Для коррекции ошибок используется технология LDPC.
Устройство поддерживает команды S.M.A.R.T., TRIM и NCQ, оснащено интеллектуальной системой контроля температуры. Заявлена совместимость с PS5. Рабочая температура — от 0 до 70 °C, температура хранения — от −40 до 85 °C. Габариты платы — 80 × 22 × 3 мм, вес платы в сборе — менее 10 г.
| Основные характеристики | |
|---|---|
| Тип | SSD |
| Исполнение | Внутреннее |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Объём | 1000 ГБ |
| Интерфейс | PCIe Gen4 x4 |
| Стандарт | NVMe 1.4 |
| Тип памяти | 3D NAND Flash |
| Пропускная способность интерфейса | 8 ГБ/с |
| Скоростные показатели | |
| Максимальная скорость последовательного чтения | 4800 МБ/с |
| Максимальная скорость последовательной записи | 4600 МБ/с |
| Максимальная скорость случайного чтения | 400K IOPS |
| Максимальная скорость случайной записи | 530K IOPS |
| Ресурс и надёжность | |
| Ресурс TBW | 640 ТБ |
| Средняя наработка на отказ (MTBF) | 2 000 000 часов |
| Технология коррекции ошибок | LDPC |
| Ударная нагрузка при работе | 1500 g |
| Длительность импульса ударной нагрузки | 0,5 мс |
| Функциональные возможности | |
| Поддержка SLC-кэширования | да |
| Интеллектуальная система контроля температуры | да |
| Поддержка команды S.M.A.R.T. | да |
| Поддержка команды TRIM | да |
| Поддержка NCQ | да |
| Совместимость с PS5 | да |
| Габариты и условия эксплуатации | |
| Длина | 80 мм |
| Ширина | 22 мм |
| Высота | 3 мм |
| Вес платы в сборе | менее 10 г |
| Рабочая температура | 0–70 °C |
| Температура хранения | −40…85 °C |
| Энергопотребление | 15 Вт |
Максимальная скорость последовательного чтения составляет 4800 МБ/с, последовательной записи — 4600 МБ/с. Максимальные показатели при случайном доступе — 400K IOPS на чтение и 530K IOPS на запись.
Для версии объёмом 1 ТБ заявлен ресурс TBW 640 ТБ. Средняя наработка на отказ (MTBF) — 2 000 000 часов.
Поддерживаются команды S.M.A.R.T., TRIM и NCQ, а также SLC-кэширование. Предусмотрена интеллектуальная система контроля температуры, для коррекции ошибок используется технология LDPC.
Заявлена совместимость с PS5. Накопитель выполнен в форм-факторе M.2 2280 с интерфейсом PCIe Gen4 x4.