B2B поставщик с 2007 г.

SSD диск GS Nanotech SSD GS027 512ГБ PCIe 3 x4, M.2 2280, 3D TLC, до R3200/W1600 МБ/с, IOPS (random 4K) до R166K/W160K, 512МБ DRAM buffer, 1125 TBW, 1y wty, МПТ 27 баллов GS027E512M20С0

16330 Р
Начислим: 163 балла
GS027E512M20С0
В наличии
+
Отложить
  • GTIN

SSD диск GS Nanotech GS027 512ГБ

Форм-фактор и интерфейсM.2 2280, PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Объем памяти512 ГБ
Тип памяти NAND3D TLC
Буферная память (DRAM)512 МБ
Скорость чтения (послед.)до 3200 МБ/с
Скорость записи (послед.)до 1600 МБ/с
Производительность (случайная запись/чтение 4К)до 160 000/166 000 IOPS
Ресурс записи (TBW)1125 ТБ
Гарантия1 год
Код производителяGS027E512M20С0
МПТ (баллы)27

Комментарии к характеристикам:
Высокие показатели IOPS и наличие DRAM-буфера обеспечивают стабильную скорость работы при интенсивной нагрузке с большим количеством операций. Ресурс TBW 1125 ТБ указывает на расчетный срок службы для рабочих станций. Интерфейс PCIe 3.0 x4 является актуальным стандартом для большинства современных систем.

Совет по использованию

Данный накопитель оптимален для установки в качестве системного диска в офисные ПК, рабочие станции для обработки данных и монтажа несырого видео, а также для серверов начального уровня с умеренной нагрузкой. Для достижения заявленной скорости убедитесь, что материнская плата поддерживает режим PCIe 3.0 x4 для слота M.2. Рекомендуется использовать с операционными системами, поддерживающими команду TRIM (Windows 7 и выше, актуальные дистрибутивы Linux).

Чтобы купить SSD диск GS Nanotech SSD GS027 512ГБ PCIe 3 x4, M.2 2280, 3D TLC, до R3200/W1600 МБ/с, IOPS (random 4K) до R166K/W160K, 512МБ DRAM buffer, 1125 TBW, 1y wty, МПТ 27 баллов GS027E512M20С0:

  • Оформите заказ на сайте или отправьте запрос на счет вместе с реквизитами организации, контактным лицом и адресом доставки.
  • Товар будет зарезервирован на 2 дня.
  • Счет придет на Вашу электронную почту в течение 30 мин.
  • Отгрузка производится в течение 1-2 дней после поступления оплаты.
  • УПД отправим через ЭДО.