В заказе нет товаров
Код производителя: GS027E512M20С0 | Модель: GS027E512M20С0
| Форм-фактор и интерфейс | M.2 2280, PCIe 3.0 x4 (NVMe) |
| Объем памяти | 512 ГБ |
| Тип памяти NAND | 3D TLC |
| Буферная память (DRAM) | 512 МБ |
| Скорость чтения (последовательная) | до 3200 МБ/с |
| Скорость записи (последовательная) | до 1600 МБ/с |
| Производительность (случайная запись/чтение 4К) | до 160 000/166 000 IOPS |
| Ресурс записи (TBW) | 1125 ТБ |
| Гарантия | 1 год |
| МПТ (баллы) | 27 |
Данный накопитель оптимален для установки в качестве системного диска в офисные ПК, рабочие станции для обработки данных и монтажа несырого видео, а также для серверов начального уровня с умеренной нагрузкой. Для достижения заявленной скорости убедитесь, что материнская плата поддерживает режим PCIe 3.0 x4 для слота M.2. Рекомендуется использовать с операционными системами, поддерживающими команду TRIM (Windows 7 и выше, актуальные дистрибутивы Linux).
Высокие показатели IOPS и наличие DRAM-буфера обеспечивают стабильную скорость работы при интенсивной нагрузке с большим количеством операций. Ресурс TBW 1125 ТБ указывает на расчетный срок службы для рабочих станций. Интерфейс PCIe 3.0 x4 является актуальным стандартом для большинства современных систем.