Внутренний SSD M.2 2280 с интерфейсом PCIe 4.0 x4 и протоколом NVMe, без радиатора.
Netac NV5000-N (NT01NV5000N-500-E4X) — внутренний SSD-накопитель объёмом 500 ГБ в форм-факторе M.2 2280 с ключом M. Память построена на структуре 3D NAND, обмен данными идёт по интерфейсу PCIe 4.0 x4 с протоколом NVMe. Накопитель поставляется без радиатора.
Заявленная максимальная скорость последовательного чтения — до 4800 МБ/с, последовательной записи — до 2700 МБ/с. Скорость случайного чтения блоков 4 КБ при глубине очереди 32 составляет 200 000 IOPS, случайной записи — 440 000 IOPS. Ресурс записи — 320 TBW, время наработки на отказ (MTBF) — 2 000 000 ч. Контроллер — TenaFe TC2200, DRAM-буфер отсутствует.
Накопитель предназначен для настольных компьютеров и ноутбуков; для сервера он не подходит из-за недостаточного ресурса. При превышении параметра «Ресурс в TBW» или «Ресурс DWPD», указанного в спецификации, устройство снимается с гарантии. Проверить состояние SSD можно с помощью специальной утилиты. К быстрому исчерпанию ресурса приводит нецелевое использование накопителя, например майнинг.
| Основные характеристики | |
|---|---|
| Производитель | Netac |
| Модель | NT01NV5000N-500-E4X |
| Тип оборудования | SSD диск |
| Объём | 500 ГБ |
| Исполнение | Внутреннее |
| Назначение | для ноутбука, для настольного компьютера |
| Для веб-сервера или файлового сервера | Нет |
| Для сервера баз данных | Нет |
| Интерфейс и форм-фактор | |
| Интерфейс SSD | PCI-Express |
| Тип PCI-E | PCIe 4.0 x4 |
| Протокол | NVMe |
| Версия NVMe | 1.4 |
| Формат накопителя | M.2 |
| Форм-фактор M.2 | 2280 |
| Ключ M.2 разъёма | M |
| Конфигурация накопителя | |
| Структура памяти | 3D NAND |
| Контроллер | TenaFe TC2200 |
| DRAM-буфер | нет |
| Параметры производительности | |
| Максимальная скорость последовательного чтения | до 4800 МБ/с |
| Максимальная скорость последовательной записи | до 2700 МБ/с |
| Скорость случайного чтения блоков 4 КБ (QD32) | 200 000 IOPS |
| Скорость случайной записи блоков 4 КБ (QD32) | 440 000 IOPS |
| IOmeter, скорость записи 4 КБ файлов, глубина очереди=32 | 275.3 |
| Надёжность и ресурс | |
| Ресурс записи (TBW) | 320 ТБ |
| DWPD | 0.35 |
| Время наработки на отказ (MTBF) | 2 000 000 ч |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Поддержка TRIM | нет |
| Background Garbage Collection | нет |
| Шифрование данных | Нет |
| Габариты и масса | |
| Длина | 80 мм |
| Ширина | 22 мм |
| Толщина | 3 мм |
| Вес | 10 г |
| Дополнительная информация | |
| Радиатор в комплекте | нет |
| Рабочая температура | 0–70 °C |
| ПО в комплекте | нет |
| Страна производства | Китай |
| EAN (штрих-код) | 6926337236834 |
| Дата выхода на рынок | 2022 |
Максимальная скорость последовательного чтения — до 4800 МБ/с, последовательной записи — до 2700 МБ/с. Скорость случайного чтения блоков 4 КБ при глубине очереди 32 составляет 200 000 IOPS, случайной записи — 440 000 IOPS.
Нет, для сервера накопитель не подходит из-за недостаточного ресурса. Он предназначен для настольных компьютеров и ноутбуков. Ресурс записи составляет 320 TBW; при его превышении, как и при превышении параметра DWPD, устройство снимается с гарантии.
Радиатор в комплект не входит, DRAM-буфер отсутствует. Память построена на структуре 3D NAND, контроллер — TenaFe TC2200.
Размеры накопителя — 80 × 22 × 3 мм, вес — 10 г. Рабочая температура — от 0 до 70 °C.