M.2 NVMe накопитель формата 2280 с интерфейсом PCIe 3.0 x4 и памятью 3D NAND.
Netac NV2000 (NT01NV2000-512-E4X) — твердотельный накопитель объёмом 512 ГБ в форм-факторе M.2 2280 с интерфейсом PCIe 3.0 x4 и поддержкой протокола NVMe. В основе накопителя — память 3D NAND с ячейками типа 3 бит TLC. Габариты модуля — 22 × 80 × 1,9 мм.
Заявленная максимальная скорость последовательного чтения — 2500 МБ/с, последовательной записи — 1950 МБ/с. Пропускная способность интерфейса — 8 Гбит/с. Накопитель поддерживает TRIM. Ресурс записи заявлен на уровне 300 TBW. При превышении параметра «Ресурс в TBW» устройство снимается с гарантии.
Рабочая температура — от 0 до 70 °C. Накопитель не предназначен для веб-сервера или файлового сервера, а также для сервера баз данных. Программное обеспечение в комплект не входит. Гарантийный срок — 5 лет.
| Основные характеристики | |
|---|---|
| Производитель | Netac |
| Серия | NV2000 |
| Модель | NT01NV2000-512-E4X |
| Тип оборудования | SSD диск |
| Объём | 512 ГБ |
| Для веб-сервера или файлового сервера | Нет |
| Для сервера баз данных | Нет |
| Интерфейс и формат | |
| Интерфейс SSD | PCI-Express |
| Физический интерфейс | PCIe 3.0 x4 |
| Протокол | NVMe |
| Формат накопителя | M.2 |
| Форм-фактор M.2 | 2280 |
| Ключ M.2 разъёма | M |
| Параметры производительности | |
| Пропускная способность интерфейса | 8 Гбит/с |
| Ресурс SSD | 300 TBW |
| Максимальная скорость последовательного чтения | 2500 МБ/с |
| Максимальная скорость последовательной записи | 1950 МБ/с |
| Поддержка TRIM | Есть |
| Background Garbage Collection | Нет |
| Конфигурация накопителя | |
| Структура памяти | 3D NAND |
| Количество бит на ячейку | 3 бит TLC |
| DRAM буфер | Нет |
| Габариты и условия эксплуатации | |
| Размеры (ширина × высота × глубина) | 22 × 80 × 1,9 мм |
| Длина | 80 мм |
| Ширина | 22 мм |
| Рабочая температура | 0 ~ 70 °C |
| Комплект поставки | |
| Комплект поставки | SSD |
| ПО в комплекте | Нет |
| Логистика | |
| Размеры упаковки | 13,1 × 6,7 × 1,6 см |
| Вес с АКБ | 28 г |
Заявленная максимальная скорость последовательного чтения — 2500 МБ/с, последовательной записи — 1950 МБ/с. Пропускная способность интерфейса — 8 Гбит/с.
Накопитель построен на памяти 3D NAND с ячейками типа 3 бит TLC. DRAM-буфер отсутствует.
Ресурс записи заявлен на уровне 300 TBW. При превышении параметра «Ресурс в TBW» устройство снимается с гарантии.
Нет. Накопитель не предназначен для веб-сервера или файлового сервера, а также для сервера баз данных.