B2B поставщик с 2007 г.

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

3580 Р
Начислим: 36 баллов
M425R1GB4BB0-CWM
В наличии
+
В избранное
  • GTIN

Технические характеристики

Характеристика Описание
Основные характеристики
Производитель Samsung
Линейка
Модель M425R1GB4BB0-CWM
Тип оборудования Оперативная память
Частота (MHz) DDR5 - 5600
Тип модуля SO-DIMM
Объем одного модуля (ГБ) 8
Количество модулей в комплекте (шт) 1
Общий объем памяти (ГБ) 8
Пропускная способность (МБ/с) 44800
Поддержка ECC Нет
Поддержка Reg Нет
Низкопрофильная нет
Количество чипов на модуле
Количество контактов 262
Тайминги
CAS Latency (CL)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Row Precharge Delay (tRP)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Тайминги
Охлаждение
Радиатор Нет
Поддержка водяного охлаждения
Дополнительные характеристики
Цвет
Подсветка нет
Напряжение (В) 1.1
Нормальная операционная температура (Tcase)
Расширенная операционная температура (Tcase)
Компоновка чипов на модуле
Чип
Потребление энергии
Габариты (мм)
Высота (мм)
Вес (грамм)
Дополнительная информация
ширина(см) 0.1000
manufacturerCountry Филиппины
описание Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
длина(см) 6.7000
высота(см) 3.0000
gtdNumber 10005030/301123/5031268/002
масса(кг) 0.0100
Наличие, технические характеристики, актуальную цену Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V... , а так же оформить покупку за безналичный расчет можно по телефону +7 495 984-51-56. Доставка по Москве и РФ, возможен самовывоз. Все товары имеют необходимые сертификаты для продажи на территории РФ. Изображение, цвет, комплектация, цена могут отличаться. Перед покупкой уточняйте всю информацию у менеджеров.

Как получить счет Как получить счет

Наши преимущества Наши преимущества