В заказе нет товаров
Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
- GTIN
Производитель:
SAMSUNG
| Характеристика | Описание |
|---|---|
| Основные характеристики | |
| Производитель | Samsung |
| Линейка | |
| Модель | M425R1GB4BB0-CWM |
| Тип оборудования | Оперативная память |
| Частота (MHz) | DDR5 - 5600 |
| Тип модуля | SO-DIMM |
| Объем одного модуля (ГБ) | 8 |
| Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
| Общий объем памяти (ГБ) | 8 |
| Пропускная способность (МБ/с) | 44800 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Поддержка Reg | Нет |
| Низкопрофильная | нет |
| Количество чипов на модуле | |
| Количество контактов | 262 |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | |
| Row Precharge Delay (tRP) | |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
| Тайминги | |
| Охлаждение | |
| Радиатор | Нет |
| Поддержка водяного охлаждения | |
| Дополнительные характеристики | |
| Цвет | |
| Подсветка | нет |
| Напряжение (В) | 1.1 |
| Нормальная операционная температура (Tcase) | |
| Расширенная операционная температура (Tcase) | |
| Компоновка чипов на модуле | |
| Чип | |
| Потребление энергии | |
| Габариты (мм) | |
| Высота (мм) | |
| Вес (грамм) | |
| Дополнительная информация | |
| ширина(см) | 0.1000 |
| manufacturerCountry | Филиппины |
| описание | Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung |
| длина(см) | 6.7000 |
| высота(см) | 3.0000 |
| gtdNumber | 10005030/301123/5031268/002 |
| масса(кг) | 0.0100 |
Оформление заказа
Резерв на 2 дня
Готовы купить Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM?
- Оформите заказ на сайте или отправьте запрос на счет вместе с реквизитами организации, контактным лицом и адресом доставки.
- Товар будет зарезервирован на 2 дня.
- Счет придет на Вашу электронную почту в течение 30 минут.
- Отгрузка производится в течение 1-2 дней после поступления оплаты. Можно забрать самовывозом или доставкой.
- УПД отправим через ЭДО.
