Единый контур B2B IT закупок

CBR DDR3 SODIMM 4GB CD3-SS04G16M11-01 PC3-12800, 1600MHz, CL11, 1.35V

1770 Р
Начислим: 18 баллов
CD3-SS04G16M11-01
В наличии
+ −
Гарантия Поддержка производителя
Оплата по счету Для юрлиц и ИП с НДС 22%
Доставка по России Собственная логистика и ТК
ЭДО УПД отправим в ЭДО

Оперативная память CBR CD3-SS04G16M11-01, 4 ГБ DDR3 SO-DIMM, 1600 МГц

Модуль памяти SO-DIMM объёмом 4 ГБ с частотой 1600 МГц, таймингами CL11 и напряжением 1.35 В.

Артикул: CD3-SS04G16M11-01 Производитель: CBR

Тип модуля SO-DIMM, DDR3
Объём одного модуля 4 ГБ
Частота 1600 МГц
Напряжение 1.35 В

О товаре

CBR CD3-SS04G16M11-01 — модуль оперативной памяти DDR3 формата SO-DIMM объёмом 4 ГБ с частотой 1600 МГц. Один модуль в комплекте, общий объём памяти также составляет 4 ГБ.

Модуль работает с таймингами 11-11-11-28 (CL11, tRCD 11, tRP 11, tRAS 28) при напряжении 1.35 В. Пропускная способность — 12800 МБ/с. Поддержка ECC и Reg отсутствует, радиатор и подсветка не предусмотрены.

Форм-фактор SO-DIMM с 208 контактами и низкопрофильное исполнение делают модуль пригодным для установки в устройства, рассчитанные на модули данного формата. Перед заказом сверяйте тип памяти, форм-фактор и напряжение с требованиями вашего устройства.

Технические характеристики

Основные характеристики
ПроизводительCBR
МодельCD3-SS04G16M11-01
Тип оборудованияОперативная память
Тип памятиDDR3
Тип модуляSO-DIMM
Частота1600 МГц
Объём одного модуля4 ГБ
Количество модулей в комплекте1 шт.
Общий объём памяти4 ГБ
Пропускная способность12800 МБ/с
Количество контактов208
Поддержка ECCНет
Поддержка RegНет
НизкопрофильнаяНет
Тайминги
CAS Latency (CL)11
RAS to CAS Delay (tRCD)11
Row Precharge Delay (tRP)11
Activate to Precharge Delay (tRAS)28
Тайминги11-11-11-28
Охлаждение
РадиаторНет
Поддержка водяного охлажденияНет
Дополнительные характеристики
Цветзелёный
ПодсветкаНет
Напряжение1.35 В
Габариты70 × 30 × 3 мм
Вес24 г
Поставка
Тип поставкиOEM
Комплектация1 модуль DDR3 объёмом 4 ГБ
Страна производстваКитай
Гарантия3 года

Что проверить перед заказом

  • Тип памяти устройства должен быть DDR3 — модуль несовместим с разъёмами DDR2, DDR4 и других поколений.
  • Форм-фактор SO-DIMM с 208 контактами должен соответствовать слоту памяти устройства.
  • Напряжение питания 1.35 В должно поддерживаться устройством.

Вопросы и ответы

Подойдёт ли модуль CBR CD3-SS04G16M11-01 для замены памяти в моём устройстве?

Модуль подойдёт, если устройство рассчитано на память DDR3 в формате SO-DIMM с 208 контактами и напряжением 1.35 В. Совпадение только по одному из этих параметров не гарантирует совместимость — сверяйте все три характеристики со спецификацией устройства.

Можно ли установить этот модуль вместе с другим модулем памяти?

Модуль поставляется один, объёмом 4 ГБ, с таймингами 11-11-11-28 и напряжением 1.35 В. Возможность совместной работы с другим модулем зависит от конфигурации устройства и характеристик второго модуля; данные о совместимости с конкретными модулями не заявлены.

Что означают тайминги 11-11-11-28 у этого модуля?

Это задержки CL, tRCD, tRP и tRAS соответственно: CAS Latency 11, RAS to CAS Delay 11, Row Precharge Delay 11 и Activate to Precharge Delay 28. Эти значения описывают временные параметры работы памяти при частоте 1600 МГц.

Оформление заказа
Резерв на 2 дня, цена с НДС
Готовы купить CBR DDR3 SODIMM 4GB CD3-SS04G16M11-01 PC3-12800, 1600MHz, CL11, 1.35V по безналичному расчету на юридическое лицо?
  • Оформите заказ на сайте или отправьте запрос на счет вместе с реквизитами организации, контактным лицом и адресом доставки.
  • Товар будет зарезервирован на 2 дня.
  • Счет с НДС придет на Вашу электронную почту в течение 30 минут.
  • Отгрузка производится в течение 1-2 дней после поступления оплаты. Можно забрать самовывозом или доставкой.
  • УПД отправим через ЭДО.