Модуль памяти SO-DIMM объёмом 4 ГБ с частотой 1600 МГц, таймингами CL11 и напряжением 1.35 В.
CBR CD3-SS04G16M11-01 — модуль оперативной памяти DDR3 формата SO-DIMM объёмом 4 ГБ с частотой 1600 МГц. Один модуль в комплекте, общий объём памяти также составляет 4 ГБ.
Модуль работает с таймингами 11-11-11-28 (CL11, tRCD 11, tRP 11, tRAS 28) при напряжении 1.35 В. Пропускная способность — 12800 МБ/с. Поддержка ECC и Reg отсутствует, радиатор и подсветка не предусмотрены.
Форм-фактор SO-DIMM с 208 контактами и низкопрофильное исполнение делают модуль пригодным для установки в устройства, рассчитанные на модули данного формата. Перед заказом сверяйте тип памяти, форм-фактор и напряжение с требованиями вашего устройства.
| Основные характеристики | |
|---|---|
| Производитель | CBR |
| Модель | CD3-SS04G16M11-01 |
| Тип оборудования | Оперативная память |
| Тип памяти | DDR3 |
| Тип модуля | SO-DIMM |
| Частота | 1600 МГц |
| Объём одного модуля | 4 ГБ |
| Количество модулей в комплекте | 1 шт. |
| Общий объём памяти | 4 ГБ |
| Пропускная способность | 12800 МБ/с |
| Количество контактов | 208 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Поддержка Reg | Нет |
| Низкопрофильная | Нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 28 |
| Тайминги | 11-11-11-28 |
| Охлаждение | |
| Радиатор | Нет |
| Поддержка водяного охлаждения | Нет |
| Дополнительные характеристики | |
| Цвет | зелёный |
| Подсветка | Нет |
| Напряжение | 1.35 В |
| Габариты | 70 × 30 × 3 мм |
| Вес | 24 г |
| Поставка | |
| Тип поставки | OEM |
| Комплектация | 1 модуль DDR3 объёмом 4 ГБ |
| Страна производства | Китай |
| Гарантия | 3 года |
Модуль подойдёт, если устройство рассчитано на память DDR3 в формате SO-DIMM с 208 контактами и напряжением 1.35 В. Совпадение только по одному из этих параметров не гарантирует совместимость — сверяйте все три характеристики со спецификацией устройства.
Модуль поставляется один, объёмом 4 ГБ, с таймингами 11-11-11-28 и напряжением 1.35 В. Возможность совместной работы с другим модулем зависит от конфигурации устройства и характеристик второго модуля; данные о совместимости с конкретными модулями не заявлены.
Это задержки CL, tRCD, tRP и tRAS соответственно: CAS Latency 11, RAS to CAS Delay 11, Row Precharge Delay 11 и Activate to Precharge Delay 28. Эти значения описывают временные параметры работы памяти при частоте 1600 МГц.