В заказе нет товаров
Характеристика | Описание |
---|---|
Основные характеристики | |
Производитель | Samsung |
Линейка | |
Модель | M323R1GB4DB0-CWM |
Тип оборудования | Оперативная память |
Частота (MHz) | DDR4 - 4800 |
Тип модуля | DIMM |
Объем одного модуля (ГБ) | 8 |
Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
Общий объем памяти (ГБ) | 8 |
Пропускная способность (МБ/с) | 38400 |
Поддержка ECC | Нет |
Поддержка Reg | Нет |
Низкопрофильная | нет |
Количество чипов на модуле | |
Количество контактов | 288 |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 40 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
Row Precharge Delay (tRP) | |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
Тайминги | |
Охлаждение | |
Радиатор | Нет |
Поддержка водяного охлаждения | |
Дополнительные характеристики | |
Цвет | |
Подсветка | нет |
Напряжение (В) | 1.1 |
Нормальная операционная температура (Tcase) | |
Расширенная операционная температура (Tcase) | |
Компоновка чипов на модуле | |
Чип | |
Потребление энергии | |
Габариты (мм) | |
Высота (мм) | |
Вес (грамм) | |
Дополнительная информация | |
ширина(см) | 0.1000 |
manufacturerCountry | Вьетнам |
описание | Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung |
длина(см) | 13.0000 |
высота(см) | 3.0000 |
gtdNumber | 10005030/021123/3290629/009 |
масса(кг) | 0.0250 |