B2B поставщик с 2007 г.

Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 8GB UNB 5600 1Rx16, 1.1V

3580 Р
Начислим: 36 баллов
M323R1GB4DB0-CWM
В наличии
+
В избранное
  • GTIN

Технические характеристики

Характеристика Описание
Основные характеристики
Производитель Samsung
Линейка
Модель M323R1GB4DB0-CWM
Тип оборудования Оперативная память
Частота (MHz) DDR4 - 4800
Тип модуля DIMM
Объем одного модуля (ГБ) 8
Количество модулей в комплекте (шт) 1
Общий объем памяти (ГБ) 8
Пропускная способность (МБ/с) 38400
Поддержка ECC Нет
Поддержка Reg Нет
Низкопрофильная нет
Количество чипов на модуле
Количество контактов 288
Тайминги
CAS Latency (CL) 40
RAS to CAS Delay (tRCD)
Row Precharge Delay (tRP)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Тайминги
Охлаждение
Радиатор Нет
Поддержка водяного охлаждения
Дополнительные характеристики
Цвет
Подсветка нет
Напряжение (В) 1.1
Нормальная операционная температура (Tcase)
Расширенная операционная температура (Tcase)
Компоновка чипов на модуле
Чип
Потребление энергии
Габариты (мм)
Высота (мм)
Вес (грамм)
Дополнительная информация
ширина(см) 0.1000
manufacturerCountry Вьетнам
описание Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung
длина(см) 13.0000
высота(см) 3.0000
gtdNumber 10005030/021123/3290629/009
масса(кг) 0.0250
Наличие, технические характеристики, актуальную цену Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 8GB UNB 5600... , а так же оформить покупку за безналичный расчет можно по телефону +7 495 984-51-56. Доставка по Москве и РФ, возможен самовывоз. Все товары имеют необходимые сертификаты для продажи на территории РФ. Изображение, цвет, комплектация, цена могут отличаться. Перед покупкой уточняйте всю информацию у менеджеров.

Как получить счет Как получить счет

Наши преимущества Наши преимущества