| Общая емкость | 32 ГБ |
|---|---|
| Конфигурация | 1 шт. × 32 ГБ |
| Тип памяти | DDR5 |
| Тактовая частота | 5600 МГц (PC5-44800) |
| Тайминги (CAS) | 46-45-45 |
| Ранг | Dual Rank x8 |
| Коррекция ошибок (ECC) | Да (EC8) |
| Буферизация | Registered (RDIMM) |
| Управление | Smart Memory Kit |
| Форм-фактор | 288-pin DIMM |
| Номинальное напряжение | 1.1 В |
| Пропускная способность | до 44.8 ГБ/с |
| Парт-номер | P64706-B21 |
Нет. Серверы Gen10 поддерживают только DDR4 Registered. P64706-B21 разработан для платформ Gen11 с процессорами Intel Xeon Scalable 4-го поколения. Попытка установки в Gen10 невозможна из-за другого ключа слота и контроллера. Для Gen10 выберите DDR4 RDIMM с частотой 2933 МГц.
Смешивание возможно, но контроллер памяти снизит частоту до уровня самого медленного модуля. Для стабильной работы на 5600 МГц рекомендуется использовать одинаковые модули Dual Rank x8. При смешивании с одноранговыми DIMM производительность может упасть до 30 %.
Максимально 16 модулей при одном процессоре и 32 модуля при двух процессорах, что даёт 1 ТБ общей памяти в конфигурации на двух процессорах. При использовании только P64706-B21 вы получаете гарантированную совместимость и стабильную частоту 5600 МГц.
Производитель проектирует модуль для непрерывной работы в течение 5 лет при температуре до 85°C. В типовых условиях ЦОД с охлаждением 35°C интенсивность сбоев остается ниже 10−18 отказов на бит в год, что обеспечивает безотказную работу дольше гарантийного периода.
Smart Memory содержит предустановленный профиль параметров и метаданные для iLO. Время аварийной замены сокращается до 2 минут, а точная настройка под сервер увеличивает выход годных частот на 10 % и предупреждает об ошибках до возникновения сбоя.
Информация предоставлена интернет-магазином Компьютерный центр Алекомп (alecomp.ru)
Комментарии к характеристикам
Организация чипов: два независимых набора по 8 бит данных на ранг. Параллельная работа банков поднимает пропускную способность в многопоточных нагрузках на 10–15 % относительно однорангового аналога. Контроллер памяти одновременно обслуживает больше открытых строк, что критично для виртуализации и баз данных.
Registered DIMM (RDIMM) буферизирует адресные и командные сигналы, снижая нагрузку на контроллер памяти и позволяя наращивать планки до 16 шт. на процессор без потери стабильности. Расширенный ECC (EC8) исправляет однобитовые ошибки и детектирует двухбитовые – вероятность незамеченного сбоя менее 10−18 на бит в год.
Технология HPE Smart Memory хранит заводской профиль параметров и взаимодействует с iLO 6. При замене модуля сервер автоматически применяет оптимальные частоту и тайминги, сокращая настройку с 10 до 2 минут. Мониторинг состояния памяти в режиме реального времени повышает отказоустойчивость.
Стандартное напряжение DDR5 снижено на 8 % относительно 1.2 В у DDR4. Каждый модуль экономит около 0.5 Вт, что в масштабе 100 серверов (по 8 слотов в каждом) сокращает годовой расход электроэнергии примерно на 3500 кВт·ч.